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양기대, 국토부서 1인시위…“신천~하안~신림선 제5차 국가철도망 반영해 달라”_我的网站

命中注定我爱你

一 | 　　当地时间8月23日，半导体行业研究机构SemiAnalysis发文称，NAND闪存制造正从钨转向钼，因为当NAND来到300层以上，钼是必选项。 26일 양기대 전 국회의원이 국토교통부 청사 앞에서 ‘신천~하안~신림선 제5차 국가철도망 구축계획 반영하라’는 피켓을 들고 1인시위를 하고 있다. 양 전 의원 측 제공 재선 광명시장을 지낸 양기대 전 국회의원이 국토교통부 제5차 국가철도망 구축계획에 신천(시흥)~하안(광명)~신림(관악) 지하철 노선을 반영해달라고 촉구했다. 양 전 의원은 26일 국토부 청사 앞에서 ‘신천~하안~신림선 제5차 국가철도망 구축계획 반영하라’는 피켓을 들고 구호를 외치며 1인시위를 벌였다. 그는 “광명시민들이 오랫동안 요구해 온 신천∼하안∼신림선이 이번 제5차 국가철도망 구축계획에 반드시 포함돼야 한다는 절박한 마음을 정부에 전달하기 위해 직접 행동에 나섰다”고 밝혔다. 양 전 의원에 따르면 현재 광명시는 곳곳에서 대규모 재건축·재개발 사업이 진행돼 도심 교통 혼잡이 갈수록 심화하는 상황이다. 특히 하안동 일대는 서울로 직결되는 지하철 노선이 없어 주민들이 출퇴근 시간마다 극심한 불편을 겪고 있다. 여기에 향후 광명·시흥 3기 신도시가 조성되면 인구와 교통 수요가 대폭 늘어날 것으로 예상돼 교통난은 더욱 심각해질 전망이다. 도로 확충만으로는 한계가 뚜렷한 만큼, 광명과 서울을 잇는 새로운 철도망 구축이 시급하다는 것이다. 국토부는 이르면 9월 제5차 국가철도망 구축계획을 발표할 예정이나 신천~하안~신림선의 반영 여부는 아직 불투명하다. 국가철도망 구축계획은 중장기 철도 건설의 기본 방향이자 사업 추진의 근거인 만큼, 이번 계획에 반영되지 않으면 사업 추진이 장기간 지연될 수밖에 없다. 양 전 의원은 “광명시민들이 한마음으로 구로차량기지 광명 이전을 막아냈던 것처럼, 이번에도 광명시장과 국회의원, 시의회가 앞장서고 시민들이 힘을 모아 신천∼하안∼신림선의 국가철도망 구축계획 반영을 반드시 관철해야 한다”고 했다. 이어 “신천∼하안∼신림선은 광명과 시흥, 서울 서남권을 연결하고 수도권의 교통망을 한 단계 발전시키는 광역교통 인프라”라며 “정부가 광명시의 현재와 미래 교통 수요를 종합적으로 고려해 전향적인 결정을 내려야 한다”고 강조했다. 끝으로 양 전 의원은 “광명의 미래 교통 수요를 감안한다면 신천∼하안∼신림선은 더 이상 미룰 수 없는 사업”이라며 “정부가 시민들의 목소리에 귀 기울여 제5차 국가철도망 구축계획에 반드시 반영해 주기를 촉구한다”고 말했다.。　　SemiAnalysis分析，3D NAND闪存堆叠层数突破300层后，钨字线在电阻、化学兼容性和深孔填充三方面均触及物理极限，钼成为强制替代材料。三星已于2024年量产，美光2025年跟进，SK海力士计划2026年底推出375层钼工艺产品。

二 | 其估计，钼在NAND总产能中的占比将从2025年的中个位数百分比，增长至2027年的约30%。　　更进一步的，该机构提出，钼沉积设备将在明年迎来超10亿美元的新增市场。　　该机构称，每一次从钨到钼的转换，都意味着需要新的沉积设备。

三 | SemiAnalysis估计，仅2027年一年，NAND钼沉积设备的销售额就将超过10亿美元，并随着DRAM和逻辑芯片的跟进，到2030年增长至约20亿美元/年。

四 | 　　受益格局方面，Lam Research（泛林集团）最先获益，TEL（东京电子）紧随其后；AMAT（应用材料）、ASMI（ASM国际）及Naura（北方华创）则更多受益于后续DRAM和逻辑芯片的转型浪潮。SemiAnalysis表示，完整的细分市场层面测算已纳入其前道设备（WFE）模型。　　钼渗透率在高层数NAND中提升，本质是为延续NAND单位Bit成本下降曲线。　　300层NAND主要在结构上升级，聚焦超高深宽比通道孔刻蚀、多次Stack堆叠、晶圆翘曲控制以及Overlay精度控制。　　375层乃至400层以后，材料亟需升级，因钨字线会因为字线间距通道孔缩小面临RC延迟快速恶化、WF残氟导致介质损伤、漏电失效率提升以及填充缺陷放大的问题。而钼凭借更低电阻率、无氟前驱体及无需阻隔层等优势，有望改善RC性能与器件可靠性，为字线和存储孔缩放提供工艺余量，从而延续高层数NAND的成本下降曲线。　　中银证券表示，SK海力士已完成375层3D NAND生产验证并计划2026年底量产，拟采用钼材料替代钨制作字线，继三星在286层第九代3D NAND中率先导入钼工艺后，两大存储龙头相继切换，钼替代钨趋势确立。　　然而，钼的材料加工更为复杂，因为必须以气体形式输送，且前驱物在室温下为固体，需要加热器以确保流动稳定性。　　基于此，300层以上3D NAND字线由钨切换为钼，并不是简单更换靶材或者更换气体材料，而是前驱体供给、ALD沉积腔体、刻蚀、清洗、尾气处理整套工艺链条的重构，原有钨CVD产线硬件无法直接复用，将直接推动晶圆厂资本开支上行，同时设备、特种材料、零部件均迎来变化。　　爱建证券表示，钼导入本质是一次全流程工艺重构，设备链受益有望沿“沉积及前驱体输送→CMP及清洗→刻蚀→量检测”路径传导，工艺难点由沉积向后处理环节延伸。其中——　　沉积：成熟的WF钨工艺，Mo沉积需重新建立高深宽比结构下的填充与缺陷控制工艺窗口，同时有望减少阻隔层使用，带动沉积设备及配套工艺升级；　　输送：Mo前驱体通常采用低挥发性固态源，与传统WF气态前驱体体系差异较大，需要新增气化装置、温控管路及精密供气系统，以保障前驱体稳定输送；　　CMP：Mo材料的氧化及表面化学特性不同于传统金属体系，需重新开发CMP研磨液和研磨垫，以满足平坦化、去除速率及缺陷控制要求；　　清洗：Mo导入后残留物及氧化物体系发生变化，高深宽比结构下金属残留和污染控制难度提升，有望推动相关湿法清洗设备及配套化学品验证导入；　　刻蚀环节则需重新建立适配钼材料的工艺窗口，且3DNAND层数持续提升下，刻蚀选择性、侧壁形貌控制及层间均匀性要求进一步提高，有望带动相关刻蚀设备升级需求；　　量检测：Mo量产还需新增膜厚均匀性、填充缺陷、金属残留及电学可靠性等监控项目，有望带动薄膜量测、缺陷检测及电性测试等设备需求增长。